SK海力士宣布开发16层HBM芯片，预计明年上半年开始出货

　　SK海力士首席执行官郭鲁正周一表示，该公司将于明年年初推出业界首个48GB的16层高带宽内存（HBM）芯片，从而巩固在人工智能（AI）芯片市场的领先地位。

　　郭鲁正当天在首尔举行的SK AI峰会上表示：“从下一代HBM4开始，16层HBM的市场有望打开。”SK海力士为了确保技术稳定性，一直在开发48GB的16层HBM3E，并计划明年初向客户提供样品。”

　　这是SK海力士首次正式宣布开发16层HBM3E芯片。

　　郭鲁正说：“与12层版本相比，16层的产品将在训练方面提高18%，在推理方面提高32%。”

　　SK海力士从今年3月开始向英伟达供应8层HBM3E， 9月开始量产最新的12层HBM3E产品。

　　该公司预计将在明年上半年开始出货16层的HBM3E芯片，并在下半年推出下一代HBM4芯片。

　　郭鲁正表示，SK海力士计划在生产16层HBM3E芯片时，采用以前用于12层产品的先进的大规模回流模压下填充（MR-MUF）工艺。MR-MUF是该公司于2019年首次与HBM2E一起实施的封装技术。

　　郭鲁正补充说：“从HBM4代开始，SK海力士计划通过与全球顶级逻辑代工厂合作，在基础芯片上采用逻辑工艺，为客户提供最好的产品，”他指的是台积电。

　　在最近的市场报告中，SK海力士去年以53%的市场占有率占据了全球HBM市场的首位，三星电子（38%）、美光科技（9%）紧随其后。